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SZ1SMB5938BT3G-VF01

更新时间： 2024-02-11 20:20:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 73K
描述
36 V, 3.0 W Zener Diode Voltage Regulator, 2500-REEL

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SZ1SMB5938BT3G-VF01 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：4 weeks
风险等级：5.74配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：38 Ω最大正向电压 (VF)：1.5 V
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
膝阻抗最大值：850 Ω湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.55 W
参考标准：AEC-Q101标称参考电压：36 V
最大反向电流：1 µA反向测试电压：27.4 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：10.4 mA
Base Number Matches：1

SZ1SMB5938BT3G-VF01 数据手册

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1SMB59xxBT3G Series,  
SZ1SMB59xxT3G Series  
3 Watt Plastic  
Surface Mount  
Zener Voltage Regulators  
This complete new line of 3 W Zener diodes offers the following  
advantages.  
www.onsemi.com  
PLASTIC SURFACE MOUNT  
ZENER VOLTAGE  
REGULATOR DIODES  
3.3−200 V, 3 W DC POWER  
Features  
• Zener Voltage Range − 3.3 V to 200 V  
• ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model  
• Flat Handling Surface for Accurate Placement  
• Package Design for Top Side or Bottom Circuit Board Mounting  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − SZ1SMB59xxT3G  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
SMB  
CASE 403A  
PLASTIC  
Site and Control Change Requirements  
• These are Pb−Free Devices*  
Mechanical Characteristics:  
CASE: Void-free, transfer-molded plastic  
FINISH: All external surfaces are corrosion resistant and leads are  
readily solderable  
Cathode  
Anode  
MARKING DIAGRAM  
MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
LEADS: Modified L−Bend providing more contact area to bond pads  
POLARITY: Cathode indicated by polarity band  
FLAMMABILITY RATING: UL 94 V−0  
AYWW  
9xxB G  
G
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol Value  
Unit  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Steady State Power  
WW = Work Week  
9xxB = Device Code (Refer to page 3)  
Dissipation @ T = 75°C  
P
D
3.0  
W
L
Measured at Zero Lead Length  
Derate Above 75°C  
G
= Pb−Free Package  
40  
25  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance from Junction−to−Lead  
R
q
JL  
(Note: Microdot may be in either location)  
Maximum Steady State Power  
Dissipation @ T = 25°C (Note )  
P
550  
4.4  
226  
mW  
mW/°C  
°C/W  
A
D
ORDERING INFORMATION  
Derate Above 25°C  
Thermal Resistance from  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
†
Device  
Package  
Shipping  
1SMB59xxBT3G  
SMB  
(Pb−Free)  
2,500 /  
Tape & Reel  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−65 to  
+150  
°C  
J
stg  
SZ1SMB59xxBT3G  
SMB  
(Pb−Free)  
2,500 /  
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−4 board, using recommended footprint.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking  
column of the Electrical Characteristics table on page 3 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
April, 2016 − Rev. 9  
1SMB5913BT3/D  
123456

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