是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.79 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 73.7 V | 最小击穿电压: | 66.7 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.55 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 60 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZ1SMB60CAT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, | |
SZ1SMB64AT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的 | |
SZ1SMB64CAT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的 | |
SZ1SMB7.0AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, | |
SZ1SMB7.5AT3G | LITTELFUSE |
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TVS DIODE 7.5V 12.9V SMB | |
SZ1SMB70AT3G | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZ1SMB70AT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的 | |
SZ1SMB70CAT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的 | |
SZ1SMB75AT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的 | |
SZ1SMB75CAT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, |