Datasheet > SVT042R5NL5

SVT042R5NL5

更新时间： 2024-03-03 10:10:41

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	353K
描述
PDFN5*6

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SVT042R5NL5 数据手册

士兰微电子

SVT042R5NL5(T)说明书

关键特性参数（除非特殊说明，T_J=25C）

参数

漏源击穿电压

漏源漏电流

符号

BV_DSS

I_DSS

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

最小值

典型值

最大值

单位

V_DS=40V，V_GS=0V

1.0

±100

3.8

2.4

2.5

µA

栅源漏电流

I_GSS

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS=V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=50A（PDFN5*6）

V_GS=10V，I_D=100A（TO-220）

f=1MHz

栅极开启电压

V_GS(th)

2.2

1.8

2.0

4.0

5700

770

520

导通电阻

R_DS(on)

m

栅极电阻

R_G

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r



输入电容

输出电容

f=1MHz，V_GS=0V，V_DS=25V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=20V，V_GS=10V，

R_G=2.7Ω，I_D=30A

t_d(off)

t_f

135

117

108

（注 2，3）

Q_g

V_DD=32V，V_GS=10V，I_D=50A

（注 2，3）

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

Q_gs

Q_gd

源-漏二极管特性参数

参数

源极电流

符号

I_S

测试条件

MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N

结

最小值

典型值

最大值

240

960

1.0

单位

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_SM

V_SD

T_rr

I_S=50A，V_GS=0V

µC

I_S=50A ， V_GS=0V ， dIF/dt=100A/µs

（注 2）

Q_rr

0.03

注：

L=1mH，V_DD=38V，R_G=10，开始温度T_J=25C；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.5

共 8 页第 3 页

http: //www.silan.com.cn

1 234 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SVT042R5NL5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVT042R5NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVT043R0NL5	SILAN	PDFN5*6	获取价格
SVT044R5NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVT068R5ND	SILAN	TO-252-2L	获取价格
SVT068R5NL5	SILAN	PDFN5*6	获取价格
SVT068R5NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格