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SVSP11N60FJD2

更新时间： 2024-03-03 10:11:38

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-220FJ-3L

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SVSP11N60FJD2 数据手册

士兰微电子

SVSP11N60FJ(D)D2 说明书

11A, 600V DP MOS功率管

描述

SVSP11N60FJ(D)D2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰

微电子 DP MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功

率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP11N60FJ(D)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



11A,600V, R_DS(on)(_典型值=0.3@V_GS=10V

)

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强 dv/dt 能力

高电流峰值

TO-252-2L

TO-220FJ-3L

产品规格分类

产品名称

SVSP11N60FJD2

SVSP11N60DD2TR

封装形式

TO-220FJ-3L

TO-252-2L

打印名称

P11N60FJD2

P11N60D

环保等级

无卤

包装形式

料管

无卤

编带

极限参数(除非特殊说明，T_C=25C)

参

数

范

围

单位

参

数

名

称

符号

SVSP11N60FJD2

SVSP11N60DD2

V_DS

V_GS

600

漏源电压

栅源电压

±30

T_C=25°C

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

耗散功率(T_C=25C)

大于25C每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量（注 1）

I_DM

P_D

0.18

0.71

W/C

E_AS

dv/dt

T_J

310

体二极管（注 2）

V/ns

C

MOS管 dv/dt 耐用性（注 3）

-55～+150

工作结温范围

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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