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SVG104R0NT

更新时间： 2024-03-03 10:10:37

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220-3L

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SVG104R0NT 数据手册

士兰微电子

SVG104R0NT(S)说明书

关键特性参数（除非特殊说明，T_J=25C）

参数

漏源击穿电压

漏源漏电流

符号

BV_DSS

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

R_G

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

V_DS=100V，V_GS=0V

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS=V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=50A

f=1MHz

最小值

典型值

最大值

单位

100

1.0

±100

4.0

µA

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

2.0

3.4

2.2

6560

896

m



栅极电阻

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

f=1MHz，V_GS=0V，

输出电容

V_DS=50V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=50V，V_GS=10V，R_G=3Ω,

I_D=50A

t_d(off)

t_f

（注 2,3）

Q_g

107

V_DD=50V，V_GS=10V，I_D=20A

（注 2,3）

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

Q_gs

Q_gd

源-漏二极管特性参数

参数

源极电流

符号

I_S

测试条件

MOS 管中源极、漏极构成的反偏

P-N 结

最小值

典型值

最大值

120

480

1.4

单位

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_SM

V_SD

T_rr

I_S=50A，V_GS=0V

0.2

µC

I_S=50A，V_GS=0V，

dI_F/dt=100A/µs

（注 2）

Q_rr

注：

L=0.5mH，I_AS=56A，V_DD=80V，R_G=25，开始温度 T_J=25C；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.5

共 7 页第 2 页

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