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SVG086R0ND

更新时间： 2024-03-03 10:09:33

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士兰微 - SILAN		/
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9页	434K
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TO-252-2L

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SVG086R0ND 数据手册

士兰微电子

SVG086R0NT(S)(D)(L5)说明书

典型特性曲线

图 1. 输出特性

图 2. 传输特性

350

300

250

200

150

100

1000

V_GS=5.0V

V_GS=6.0V

V_GS=7.0V

V_GS=8.0V

V_GS=9.0V

V_GS=10V

-55°C

25°C

150°C

100

注：

1.250µS 脉冲测试

2.Tc=25°C

注：

1.V_DS=5V

2.250µS 脉冲测试

0.1

漏-源电压 - V_DS(V)

图 3. 导通电阻 vs. 漏电流

栅-源电压 - V_GS(V)

图 4. 体二极管正向压降 vs. 源电流和温度

1000

100

-55°C

25°C

150°C

V_GS=10V

V_GS=20V

1.0

注：

1.Tc=25°C

注：

1. V_GS=0V

2. 250µS脉冲测试

0.1

100

120

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

漏电流 - I_D(A)

源-漏电压 - V_SD(V)

图 5. 电容特性

图 6. 栅极电荷特性

10000

1000

100

C_iss

V_DS=64V

V_DS=40V

V_DS=16V

C_oss

C_rss

C_iss=C_gs+C_gd(C_ds=短路)

C_oss=C_ds+C_gd

注：

1. V_GS=0V

2. f=1MHz

C_rss=C_gd

注： I_D=50A

100

漏-源电压 - V_DS(V)

总栅极电荷 - Q_G(nC)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.4

共 9 页第 4 页

http: //www.silan.com.cn

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