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SUT485J

更新时间: 2024-11-21 08:58:03
品牌 Logo 应用领域
可天士 - KODENSHI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 293K
描述
Epitaxial planar NPN silicon transistor

SUT485J 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):0.15 A最小直流电流增益 (hFE):70
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

SUT485J 数据手册

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SUT485J  
Epitaxial planar NPN silicon transistor  
Description  
Complex type bipolar transistor  
Feature  
Small package save PCB area  
Reduce quantity of parts and mounting cost  
Two 2SC5343 chips in SOT-363 package  
Package : SOT-363  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
SUT485J  
SOT-363  
SS  
: Year & Week Code  
Equivalent circuit & PIN Connections  
Equivalent Circuit  
PIN Connections  
3
2
1
1. Emitter 1  
2. Base 1  
3. Collector 2  
4. Emitter 2  
5. Base 2  
Tr1  
Tr2  
6. Collector 1  
4
5
6
Absolute Maximum Ratings [Tr1, Tr2]  
(Ta=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
50  
V
V
5
V
150  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
200  
TJ  
150  
Storage temperature range  
Tstg  
-55~150  
°C  
: Total rating  
KSD-T5S003-001  
1

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