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SUT510EF

更新时间： 2024-11-18 08:58:03

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	330K
描述
Epitaxial planar PNP/NPN silicon transistor

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SUT510EF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

SUT510EF 数据手册

SUT510EF

Epitaxial planar PNP/NPN silicon transistor

Description

• Complex type bipolar transistor

Feature

• Very small package save PCB area

• Reduce quantity of parts and mounting cost

• Both 2SA1980 chip and 2SC5343 chip in SOT-563F package

Package : SOT-563F

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SUT510EF

SOT-563F

^4X□

□ : Year & Week Code

Equivalent circuit & PIN Connections

• Equivalent Circuit

PIN Connections

1. Emitter 1

2. Base 1

3. Base 2

TR1

TR2

4. Collector 2

5. Emitter 2

6. Collector 1

Absolute Maximum Ratings [Tr1, Tr2]

(Ta=25°C)

Rating

Characteristic

Symbol

Unit

Tr1

-50

-5

Tr2

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-150

150

°C

※

P_C

Collector Power dissipation

Junction temperature

150

T_J

Storage temperature range

T_stg

-55~150

°C

※: Total rating

KSD-T5U003-001

12 3 4 5 6

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