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SUT487J

更新时间： 2024-11-21 08:58:03

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	311K
描述
Epitaxial planar PNP silicon transistor

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SUT487J 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

SUT487J 数据手册

SUT487J

Epitaxial planar PNP silicon transistor

Description

• Complex type bipolar transistor

Feature

• Small package save PCB area

• Reduce quantity of parts and mounting cost

• Two 2SA1980 chips in SOT-363 package

Package : SOT-363

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

SUT487J

SOT-363

^XX□

□ : Year & Week Code

Equivalent circuit & PIN Connections

• Equivalent Circuit

PIN Connections

1. Emitter 1

2. Base 1

3. Collector 2

4. Emitter 2

5. Base 2

Tr1

Tr2

6. Collector 1

Absolute Maximum Ratings [Tr1, Tr2]

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

-50

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-50

-5

-150

200

°C

※

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

T_J

150

Storage temperature range

T_stg

-55~150

°C

※: Total rating

KSD-T5S005-001

12 3 4 5

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