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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SURHD8560W1T4G
SURHD8560W1T4G PDF预览

SURHD8560W1T4G

更新时间： 2024-11-19 11:01:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管超快速恢复能力电源整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
600 V，5.0 A，Ultrafast 整流器

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SURHD8560W1T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.84
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.7 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SURHD8560W1T4G 数据手册

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MURHD560T4,  
MURHD560W1T4  
Preferred Device  
MEGAHERTZ™  
Power Rectifier  
Features and Benefits  
http://onsemi.com  
• Ultrafast 30 Nanosecond Recovery Times  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• High Temperature Glass Passivated Junction  
• High Voltage Capability to 600 Volts  
• These are Pb−Free Devices  
ULTRAFAST RECTIFIER  
5.0 AMPERES  
600 VOLTS  
4
Applications  
• Power Supplies  
• Inverters  
• Free Wheeling Diodes  
2
1
3
DPAK  
CASE 369C  
STYLES 3, 8  
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• Weight: 0.4 g (approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
1
3
1
4
4
3
STYLE 3  
STYLE 8  
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAMS  
• ESD Ratings:  
Machine Model = C (>400 V)  
Human Body Model = 3B (>8000 V)  
YWW  
YWW  
UH560G  
560W1G  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
STYLE 3  
STYLE 8  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
600  
V
RRM  
RWM  
UH560 = MURHD560T4  
560W1 = MURHD560W1T4  
R
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Average Rectified Forward Current  
I
5.0  
50  
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 159°C)  
R
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single Phase,  
60 Hz)  
I
FSM  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +175  
°C  
J
stg  
MURHD560T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
2500 /  
Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MURHD560W1T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
2500 /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
August, 2010 − Rev. 4  
MURHD560/D  
12345

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SURHD8560W1T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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