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MURHD560T4G PDF预览

MURHD560T4G

更新时间： 2024-11-21 03:36:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管PC超快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 59K
描述
MEGAHERTZ TM Power Rectifier

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MURHD560T4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：0.82Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225893
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C
Samacsys Released Date：2016-01-25 14:39:57Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.7 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MURHD560T4G 数据手册

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MURHD560T4  
Preferred Device  
MEGAHERTZ™  
Power Rectifier  
Features and Benefits  
• Ultrafast 30 Nanosecond Recovery Times  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• High Temperature Glass Passivated Junction  
• High Voltage Capability to 600 Volts  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
ULTRAFAST RECTIFIER  
5.0 AMPERES  
600 VOLTS  
Applications  
• Power Supplies  
• Inverters  
• Free Wheeling Diodes  
1
4
3
4
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded  
2
1
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• Weight: 0.4 g (approximately)  
3
DPAK  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
CASE 369C  
Leads are Readily Solderable  
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAM  
• ESD Ratings:  
Machine Model = C (>400 V)  
Human Body Model = 3B (>8000 V)  
YWW  
UH560G  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
UH560G = Device Code  
Symbol  
Value  
Unit  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
600  
V
RRM  
RWM  
R
ORDERING INFORMATION  
Average Rectified Forward Current  
I
5.0  
50  
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 159°C)  
†
R
C
Device  
MURHD560T4G  
Package  
Shipping  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single Phase,  
60 Hz)  
I
FSM  
DPAK  
2500 /Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +175  
°C  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
December, 2005 − Rev. 2  
MURHD560/D  
12345

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MURHD560T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SURHD8560T4G ONSEMI

完全替代

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RD0506T-TL-H ONSEMI

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