Datasheet > SUM27N20-78

SUM27N20-78

更新时间： 2024-01-28 16:37:14

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	46K
描述
N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SUM27N20-78 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.89	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUM27N20-78 数据手册

SUM27N20-78

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 200-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

PRODUCT SUMMARY

D New Low Thermal Resistance Package

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D PWM Optimized for Fast Switching

APPLICATIONS

0.078 @ V = 10 V

200

0.083 @ V = 6 V

D Isolated DC/DC converters

- Primary-Side Switch

TO-263

D S

Top View

SUM27N20-78

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

200

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

15.5

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

16.2

= 25_C

150

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

PCB Mount (TO-263)

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

1.0

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72108

S-03005—Rev. A, 27-Jan-03

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SUM27N20-78相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM27N20-78_06	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S), 175Celsius MOSFET
SUM30F	SSDI	获取价格	0.5 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 180 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SUM30FSMSTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM30FTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM30UF	SSDI	获取价格	0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM30UFS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM30UFSMS	SSDI	获取价格	0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM30UFSMSS	SSDI	获取价格	暂无描述
SUM30UFSMSTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SUM30UFTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 3000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2