5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUB75N06-08
SUB75N06-08 PDF预览

SUB75N06-08

更新时间： 2024-09-28 22:17:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SUB75N06-08 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.7 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SUB75N06-08 数据手册

 浏览型号SUB75N06-08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUB75N06-08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUB75N06-08的Datasheet PDF文件第4页 
SUP/SUB75N06-08  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
a
60  
0.008  
75  
D
TO-220AB  
TO-263  
G
DRAIN connected to TAB  
G
D S  
Top View  
G D S  
S
SUB75N06-08  
Top View  
N-Channel MOSFET  
SUP75N06-08  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
"20  
V
a
T
= 25_C  
= 125_C  
75  
C
Continuous Drain Current  
(T = 175_C)  
J
I
D
T
55  
240  
60  
C
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
Avalanche Current  
I
AR  
b
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
280  
mJ  
c
T
= 25_C (TO-220AB and TO-263)  
250  
C
Power Dissipation  
P
D
W
d
T
= 25_C (TO-263)  
3.7  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
d
PCB Mount (TO-263)  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
R
thJA  
thJC  
Free Air (TO-220AB)  
62.5  
0.6  
_C/W  
R
Notes  
a. Package limited.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70283  
S-05111—Rev. F, 10-Dec-01  
www.vishay.com  
2-1  
1234

中文翻译

下载PDF

SUB75N06-08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUD45N05-20L-E3 VISHAY

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RFD3055SM FAIRCHILD

功能相似

 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF1010EZ INFINEON

功能相似

 AUTOMOTIVE MOSFET

与SUB75N06-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUB75N06-12L VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N06-12L-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUB75N08-09L VISHAY

获取价格

 		N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N08-09L-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUB75N08-10 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N08-10-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUB75P03-07 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUB75P03-07-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET
SUB75P03-08 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75P05-08 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET

与SUB75N06-08相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证