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STWA40N60M2

更新时间： 2023-12-20 18:45:58

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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12页	345K
描述
N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247长引线封装

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STWA40N60M2 数据手册

STWA40N60M2

Test circuits

Figure 13. Test circuit for resistive load switching times

Figure 14. Test circuit for gate charge behavior

V_DD

12 V

47 kΩ

1 kΩ

100 nF

R_L

2200

μF

3.3

μF

V_DD

I_G= CONST

2.7 kΩ

V_D

R_G

D.U.T.

100 Ω

V_GS

pulse width

D.U.T.

V_GS

V_G

2200

μF

pulse width

47 kΩ

1 kΩ

AM01469v1

AM01468v1

Figure 15. Test circuit for inductive load switching and

diode recovery times

Figure 16. Unclamped inductive load test circuit

V_D

100 µH

fast

D.U.T.

diode

2200

3.3

µF

V_DD

1000

µF

3.3

µF

V_DD

25 Ω

I_D

D.U.T.

R_G

D.U.T.

V_i

pulse width

AM01471v1

AM01470v1

Figure 18. Switching time waveform

Figure 17. Unclamped inductive waveform

t_on

t_d(on)

t_off

t_d(off)

V_(BR)DSS

t_r

t_f

V_D

90%

I_DM

V_DS

10%

V_GS

10%

I_D

V_DD

90%

10%

AM01472v1

AM01473v1

DS11877 - Rev 2

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