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STWA40N60M2

更新时间： 2023-12-20 18:45:58

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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12页	345K
描述
N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247长引线封装

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STWA40N60M2 数据手册

STWA40N60M2

Electrical characteristics (curves)

Figure 8. Output capacitance stored energy

Figure 7. Capacitance variations

AM16105v1

(µJ)

oss

AM16104v1

(pF)

10000

1000

100

Ciss

Coss

Crss

0.1

100

V^DS(V)

200

400 500

600

V^DS(V)

100

300

Figure 9. Normalized gate thereshold voltage vs

temperature

Figure 10. Normalized on-resistance vs temperature

AM15719v1

DS(on)

AM15718v1

VGS(th)

(norm)

ID=17 A

2.1

1.1

ID=250µA

1.0

0.9

0.8

1.7

1.3

0.9

0.5

0.7

0.6

100

TJ(°C)

-50

100

TJ(°C)

-50

Figure 11. Normalized V_(BR)DSSvs temperature

Figure 12. Source-drain diode forward characteristics

GIPD240920132025FSR

VSD

(V)

AM15714v1

(BR)DSS

(norm)

TJ= -50°C

1.0

0.9

TJ= 25°C

0.8

0.7

TJ= 150°C

0.6

0.5

0.90

-50

TJ(°C)

30 ISD(A)

DS11877 - Rev 2

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