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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 850 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 51 A | 最大漏极电流 (ID)： | 51 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 204 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW56NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 
|
N-channel 600 V, 0.05 Ω, 45 A TO-247 MDmeshâ |
|
| STFW60N65M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似
|
N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STW55NM60ND | STMICROELECTRONICS | N-channel 600 V - 0.047 ヘ - 51 A TO-247 FDmes |
获取价格 |
|
| STW56N60DM2 | STMICROELECTRONICS | N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET |
获取价格 |
|
| STW56N60M2 | STMICROELECTRONICS | N沟道600 V、0.045 Ohm典型值、52 A MDmesh M2功率MOSFET， |
获取价格 |
|
| STW56N60M2-4 | STMICROELECTRONICS | N沟道600 V、0.045 Ohm典型值、52 A MDmesh M2功率MOSFET， |
获取价格 |
|
| STW56N65DM2 | STMICROELECTRONICS | N沟道650 V、0.058 Ohm典型值、48 A MDmesh DM2功率MOSFET |
获取价格 |
|
| STW56N65M2 | STMICROELECTRONICS | N沟道650 V、0.049 Ohm典型值、49 A MDmesh M2功率MOSFET， |
获取价格 |
|
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