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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 6 X 6 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-84 | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 可调阈值： | YES |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT | JESD-30 代码： | S-PBGA-B84 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 6 mm |
| 信道数量： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA84,10X10,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/4.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.16 mm |
| 子类别： | Power Management Circuits | 最大供电电流 (Isup)： | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW4811NBHDT/LF | STMICROELECTRONICS |
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Power management for multimedia processors |
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| STW4811NBRA/LF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Power management for multimedia processors |
|
| STW4811NBRAT/LF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Power management for multimedia processors |
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| STW4820 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Mixed-signal multimedia and power management IC |
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| STW4820U4/HF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Mixed-signal multimedia and power management IC |
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| STW4820U4T/HF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Mixed-signal multimedia and power management IC |
|
| STW48N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.065 Ohm典型值、40 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW48N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.06 Ohm典型值、42 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STW48N60M2-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.06 Ohm典型值、42 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STW48N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET，TO |
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