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STW12NB60

更新时间： 2024-09-24 22:18:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 252K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 12A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET

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STW12NB60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.8雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：190 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW12NB60 数据手册

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STW12NB60  
N-CHANNEL 600V - 0.5Ω - 12A TO-247  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW12NB60  
600V  
< 0.6Ω  
12 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.5Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-247  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
12  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
7.56  
48  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
190  
W
C
Derating Factor  
1.52  
4
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤12A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
May 2001  
1/8  
12345678

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与STW12NB60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW12NC60 STMICROELECTRONICS

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