STTH112A

更新时间： 2024-11-14 22:19:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管光电二极管高压
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描述
HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER

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STTH112A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	11 weeks
风险等级：	1.66	其他特性：	HIGH RELIABILITY, FRE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.65 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	18 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STTH112A 数据手册

STTH112/A/U

HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER

MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

1 A

1200 V

175 °C

1.65 V

Tj (max)

V_F(max)

FEATURES AND BENEFITS

■

Low forward voltage drop

High reliability

High surge current capability

Soft switching for reduced EMI disturbances

Planar technology

DO-41

STTH112

DESCRIPTION

The STTH112, which is using ST ultrafast high

voltage planar technology, is specially suited for

free-wheeling, clamping, snubbering, demagneti-

zation in power supplies and other power switching

applications.

SMA

STTH112A

SMB

STTH112U

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Value

1200

850

Unit

V_RRM

V_(RMS)RMS voltage

I_F(AV)Average forward current

Tl = 85°C δ =0.5

DO-41

SMA

Tl = 115°C δ =0.5

Tl = 125°C δ =0.5

SMB

I_FSM

Forward surge current t = 8.3 ms

Storage temperature range

DO-41

SMA

SMB

T_stg

- 50 + 175

+ 175

°C

Maximum operating junction temperature

January 2003 - Ed: 2

1/6

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