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STTH12012TV2

更新时间： 2024-11-01 04:30:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管测试高压局域网超快软恢复二极管高压超快速软恢复二极管
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8页 143K
描述
Ultrafast recovery - 1200 V diode

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STTH12012TV2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOTOP包装说明：PLASTIC, ISOTOP-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.9 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
最大非重复峰值正向电流：420 A元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：300 µA
最大反向恢复时间：0.125 µs反向测试电压：1200 V
子类别：Other Diodes表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STTH12012TV2 数据手册

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STTH12012TV  
Ultrafast recovery - 1200 V diode  
Main product characteristics  
K2  
A2  
K1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
2 x 60 A  
1200 V  
150° C  
1.30 V  
50 ns  
K1  
A1  
A1  
K2  
VF (typ)  
trr (typ)  
STTH12012TV2  
STTH12012TV  
A1  
K2  
A1  
K1  
Features and benefits  
A2  
K2  
■ Ultrafast, soft recovery  
K1  
A2  
■ Very low conduction and switching losses  
ISOTOP  
■ High frequency and/or high pulsed current  
operation  
■ High reverse voltage capability  
■ High junction temperature  
■ Insulated package:  
Order codes  
Electrical insulation = 2500 V  
Part Number  
Marking  
RMS  
Capacitance = 45 pF  
STTH12012TV1  
STTH12012TV2  
STTH12012TV1  
STTH12012TV2  
Description  
The high quality design of this diode has  
produced a device with low leakage current,  
regularly reproducible characteristics and intrinsic  
ruggedness. These characteristics make it ideal  
for heavy duty applications that demand long term  
reliability.  
Such demanding applications include industrial  
power supplies, motor control, and similar  
mission-critical systems that require rectification  
and freewheeling. These diodes also fit into  
auxiliary functions such as snubber, bootstrap,  
and demagnetization applications.  
The improved performance in low leakage  
current, and therefore thermal runaway guard  
band, is an immediate competitive advantage for  
this device.  
March 2006  
Rev 1  
1/8  
www.st.com  
8
12345678

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