5秒后页面跳转
STTB1206D PDF预览

STTB1206D

更新时间: 2024-11-25 04:01:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压局域网超快软恢复二极管高压超快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 497K
描述
TURBOSWITCH⑩"B".ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE

STTB1206D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.54
Is Samacsys:N其他特性:SOFT FACTOR IS 0.9, SNUBBER DIODE, HIGH PERFORMANCE
应用:HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 VJEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:420 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:24 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

STTB1206D 数据手册

 浏览型号STTB1206D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STTB1206D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STTB1206D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STTB1206D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STTB1206D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STTB1206D的Datasheet PDF文件第7页 
www.DataSheet4U.com  

与STTB1206D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STTB1206DI STMICROELECTRONICS

获取价格

TURBOSWITCH⑩"B".ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTB1206G STMICROELECTRONICS

获取价格

ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTB1206M STMICROELECTRONICS

获取价格

UTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTB2,5-DIO1N5408K/U-O PHOENIX

获取价格

Modular Terminal Block,
STTB2006P STMICROELECTRONICS

获取价格

20A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
STTB2006PI STMICROELECTRONICS

获取价格

20A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, ISOLATED DOP3I, 2 PIN
STTB206S STMICROELECTRONICS

获取价格

2A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
STTB3006P STMICROELECTRONICS

获取价格

30A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
STTB306B STMICROELECTRONICS

获取价格

3A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, DPAK-3
STTB306B-TR STMICROELECTRONICS

获取价格

3A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, DPAK-3