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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 整流二极管高压局域网超快软恢复二极管高压超快速软恢复二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 497K | |
描述 | ||
TURBOSWITCH⑩"B".ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.54 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | SOFT FACTOR IS 0.9, SNUBBER DIODE, HIGH PERFORMANCE |
应用: | HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.4 V | JEDEC-95代码: | TO-220AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 420 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 24 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | CECC |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向恢复时间: | 0.1 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STTB1206DI | STMICROELECTRONICS |
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TURBOSWITCH⑩"B".ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE | |
STTB1206G | STMICROELECTRONICS |
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ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE | |
STTB1206M | STMICROELECTRONICS |
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UTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE | |
STTB2,5-DIO1N5408K/U-O | PHOENIX |
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Modular Terminal Block, | |
STTB2006P | STMICROELECTRONICS |
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20A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-2 | |
STTB2006PI | STMICROELECTRONICS |
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20A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, ISOLATED DOP3I, 2 PIN | |
STTB206S | STMICROELECTRONICS |
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2A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-2 | |
STTB3006P | STMICROELECTRONICS |
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30A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-2 | |
STTB306B | STMICROELECTRONICS |
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3A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, DPAK-3 | |
STTB306B-TR | STMICROELECTRONICS |
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3A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, DPAK-3 |