5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS4DPF30L
STS4DPF30L PDF预览

STS4DPF30L

更新时间： 2024-01-23 21:29:32
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 111K
描述
DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET

阅读下载

获取价格

STS4DPF30L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/5297.3.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=5297
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=52973D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=5297
Samacsys PartID：5297Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/STS4DPF30L.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/3/STS4DPF30L.jpgSamacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：STS4DPF30L-1Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS4DPF30L 数据手册

 浏览型号STS4DPF30L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STS4DPF30L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STS4DPF30L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STS4DPF30L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STS4DPF30L的Datasheet PDF文件第6页 
STS4DPF30L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
SWITCHING ON  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
= 15 V  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
R
I
= 2 A  
D
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
25  
35  
ns  
ns  
t
DD  
d(on)  
= 4.7 Ω  
V
GS  
= 4.5 V  
t
r
G
(Resistive Load, Figure 1)  
Q
V
= 24 V I = 4 A V = 5 V  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
12.5  
5
3
16  
nC  
nC  
nC  
g
DD  
D
GS  
Q
gs  
Q
(See test circuit, Figure 2)  
gd  
SWITCHING OFF  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
R
= 15 V  
I
D
= 2 A  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
125  
35  
ns  
ns  
t
DD  
d(off)  
= 4.7Ω,  
V
GS  
= 4.5 V  
t
G
f
(Resistive Load, Figure 1)  
SOURCE DRAIN DIODE  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Typ.  
Max.  
Unit  
I
Source-drain Current  
Source-drain Current (pulsed)  
4
16  
A
A
SD  
( )  
•
I
SDM  
(*)  
I
I
= 4 A  
V
= 0  
GS  
V
Forward On Voltage  
1.2  
V
SD  
SD  
SD  
t
= 4 A  
di/dt = 100A/µs  
T = 150°C  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
45  
36  
1.6  
ns  
nC  
A
rr  
Q
V
= 15 V  
rr  
DD  
j
I
(See test circuit, Figure 3)  
RRM  
(*)  
(
Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
•)Pulse width limited by safe operating area.  
3/6  
123456

下载PDF

与STS4DPF30L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STS4DPFS20L STMICROELECTRONICS P-CHANNEL 20V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M

获取价格
STS4DPFS2LS STMICROELECTRONICS P-CHANNEL 20V - 0.06ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M

获取价格
STS4DPFS30L STMICROELECTRONICS P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M

获取价格
STS4NF100 STMICROELECTRONICS N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET

获取价格
STS4NM20N ETC N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET

获取价格
STS4PF20V STMICROELECTRONICS P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 4A SO- 2.7V-DRIVE

获取价格

与STS4DPF30L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证