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STPS24045TV

更新时间： 2024-11-14 22:34:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS24045TV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：ISOTOP包装说明：PLASTIC, ISOTOP-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.04其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.67 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4JESD-609代码：e4
最大非重复峰值正向电流：1500 A元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：120 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：1500000 µA
反向测试电压：45 V子类别：Other Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS24045TV 数据手册

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STPS24045TV  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 120 A  
45 V  
K2  
K1  
A2  
A1  
VF (max)  
0.67 V  
FEATURES AND BENEFITS  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
EXTREMELYFAST SWITCHING  
LOW THERMAL RESISTANCE  
INSULATEDPACKAGE:  
Insulatingvoltage = 2500 V(RMS)  
Capacitance= 45pF  
DESCRIPTION  
ISOTOPTM  
Dual power Schottky rectifier suited for Switched  
Mode Power Supplies and high frequency DC to  
DC converters.  
Packaged in ISOTOP, this device is especially in-  
tended for use in low voltage, high frequency in-  
verters, free wheeling and polarity protection  
applications.  
ISOTOP is a trademark of STMicroelectronics  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
V
VRRM  
45  
IF(RMS) RMS forward current  
170  
A
IF(AV)  
IFSM  
IRRM  
Average forward current  
Tc = 80°C  
δ = 0.5  
Per diode  
Per device  
120  
240  
A
Surgenon repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
1500  
A
A
µ
tp = 2 s  
2
F = 1kHzsquare  
IRSM  
Tstg  
Non repetitivepeak reverse current  
Storage temperature range  
Maximum operatingjunction temperature  
Critical rate of rise of reverse voltage  
1
tp = 100µs square  
10  
- 55 to + 150  
150  
A
°C  
Tj  
°C  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
dTj  
<
* :  
thermal runawayconditionfor a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
September 1999 - Ed : 3A  
1/4  
1234

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