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STPS2150AF PDF预览

STPS2150AF

更新时间： 2024-09-30 12:57:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
2A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-221AC, SMA, 2 PIN

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STPS2150AF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-221AC包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-221AC, SMA, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：43 weeks 2 days风险等级：5.72
应用：POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.67 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS2150AF 数据手册

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STPS2150  
Power Schottky rectifier  
Main product characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
2 A  
150 V  
175° C  
0.67 V  
Tj (max)  
VF(max)  
Description  
SMA  
DO-15  
(JEDEC DO-214AC)  
STPS2150A  
150 V Power Schottky rectifier are suited for  
switch mode power supplies on up to 24 V rails  
and high frequency converters.  
STPS2150  
Packaged in SMA and Axial, this device is  
intended for use in consumer and computer  
applications like TV, STB, PC and DVD where low  
drop forward voltage is required to reduce power  
dissipation.  
Features and benefits  
■ Negligible switching losses  
■ Low forward voltage drop for higher efficiency  
Order Codes  
and extented battery life  
■ Low thermal resistance  
Part Number  
Marking  
■ Surface mount miniature package  
■ Avalanche capability specified  
STPS2150A  
STPS2150  
2150  
STPS2150  
STPS2150  
STPS2150RL  
Table 1.  
Symbol  
VRRM  
Absolute Ratings (limiting values)  
Parameter  
Value  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
150  
15  
V
A
IF(RMS) RMS forward voltage  
SMA  
TL = 145° C δ = 0.5  
TL = 130° C δ = 0.5  
A
A
IF(AV)  
Average forward current  
2
DO-15  
SMA  
75  
150  
Surge non repetitive forward  
current  
IFSM  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 1 µs Tj = 25° C  
DO-15  
PARM  
Tstg  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
2400  
W
-65 to + 175  
175  
° C  
° C  
Tj  
Maximum operating junction temperature(1)  
dPtot  
dTj  
1
1. --------------- > ------------------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j – a)  
May 2006  
Rev 5  
1/7  
www.st.com  
7
1234567

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