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STK14C88-K35I

更新时间： 2024-02-01 12:43:29
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 370K
描述
32K x 8 AutoStore nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM

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STK14C88-K35I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP32,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T32
JESD-609代码：e0长度：40.635 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：32KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.12 mm最大待机电流：0.0015 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

STK14C88-K35I 数据手册

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STK14C88  
SRAM READ CYCLES #1 & #2  
(VCC = 5.0V ± 10%)e  
SYMBOLS  
STK14C88-25  
STK14C88-35  
STK14C88-45  
NO.  
PARAMETER  
UNITS  
#1, #2  
Alt.  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
1
2
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Chip Enable Access Time  
25  
35  
45  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ELQV  
ACS  
RC  
AA  
g
Read Cycle Time  
25  
35  
45  
AVAV  
h
3
Address Access Time  
25  
10  
35  
15  
45  
20  
AVQV  
4
Output Enable to Data Valid  
Output Hold after Address Change  
Chip Enable to Output Active  
Chip Disable to Output Inactive  
Output Enable to Output Active  
Output Disable to Output Inactive  
Chip Enable to Power Active  
Chip Disable to Power Standby  
GLQV  
OE  
OH  
LZ  
h
5
5
5
5
5
5
5
AXQX  
6
ELQX  
i
7
10  
10  
25  
13  
13  
35  
15  
15  
45  
EHQZ  
HZ  
8
0
0
0
0
0
0
GLQX  
OLZ  
OHZ  
PA  
i
9
GHQZ  
f
f
10  
11  
ELICCH  
EHICCL  
PS  
Note g: W and HSB must be high during SRAM READ cycles and low during SRAM WRITE cycles.  
Note h: I/O state assumes E and G < V and W > V ; device is continuously selected.  
IL  
IH  
Note i: Measured ± 200mV from steady state output voltage.  
SRAM READ CYCLE #1: Address Controlledg, h  
2
t
AVAV  
ADDRESS  
3
t
AVQV  
5
t
AXQX  
DQ (DATA OUT)  
DATA VALID  
SRAM READ CYCLE #2: E Controlledg  
2
t
AVAV  
ADDRESS  
E
1
11  
t
ELQV  
t
EHICCL  
6
t
ELQX  
7
t
EHQZ  
G
9
4
t
GHQZ  
t
GLQV  
8
t
GLQX  
DATA VALID  
DQ (DATA OUT)  
10  
t
ELICCH  
ACTIVE  
STANDBY  
I
CC  
December 2002  
3
Document Control # ML0014 rev 0.0  
 
 
 
1234567...13

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