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STK10C68-5P35I

更新时间： 2024-11-09 20:17:43

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赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	283K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

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STK10C68-5P35I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.3
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.86	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	EEPROM HARDWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	32.004 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.572 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STK10C68-5P35M	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5P45	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
STK10C68-5P45	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5P45I	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5P45M	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5P55	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5P55I	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5P55M	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5PF25	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S
STK10C68-5PF25I	SIMTEK	获取价格	8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S