是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP28,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.86 | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | EEPROM HARDWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.0848 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8.763 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STK10C68-5S35 | SIMTEK |
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8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S | |
STK10C68-5S35 | CYPRESS |
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8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK10C68-5S35I | SIMTEK |
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8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S | |
STK10C68-5S35I | CYPRESS |
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8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK10C68-5S35M | SIMTEK |
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8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S | |
STK10C68-5S45 | SIMTEK |
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8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S | |
STK10C68-5S45 | CYPRESS |
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8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK10C68-5S45I | SIMTEK |
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8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S | |
STK10C68-5S45I | CYPRESS |
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8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK10C68-5S45M | SIMTEK |
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8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile S |