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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STI5731 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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| STI5732 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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| STI5740 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220 |
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| STI5741 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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| STI5742 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220 |
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| STI5850 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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| STI5851 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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| STI5852 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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| STI5N52U | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 525 V, 1.28 ohm, 4.4 A, DPAK, TO-220FP, I2PAK UltraFASTmesh Power MOSFET |
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| STI60 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | TO-39 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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