STI42N65M5

更新时间： 2024-11-23 12:33:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
18页	1101K
描述
N-channel 650 V, 0.070 Î©, 33 A MDmeshâ¢ V Power MOSFET in I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247

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STI42N65M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	950 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A
最大漏极电流 (ID)：	33 A	最大漏源导通电阻：	0.079 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	132 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI42N65M5 数据手册

STx42N65M5

N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh™ V Power MOSFET

in I²PAK, TO-220, TO-220FP, D²PAK and TO-247

Features

V_DSS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Type

I_D

STB42N65M5

STF42N65M5

STI42N65M5

STP42N65M5

STW42N65M5

710 V

< 0.079 Ω

33 A

< 0.079 Ω 33 A ⁽¹⁾

TO-220

D²PAK

TO-220FP

< 0.079 Ω

33 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ TO-220 worldwide best R

DS(on)

I²PAK

TO-247

■ Higher V

rating

DSS

■ High dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ 100% avalanche tested

$ꢅꢆꢇ

Application

■ Switching applications

'ꢅꢁꢇ

Description

MDmesh™ V is a revolutionary Power MOSFET

technology based on an innovative proprietary

vertical process, which is combined with

STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™

horizontal layout structure. The resulting product

has extremely low on-resistance, which is

unmatched among silicon-based Power

MOSFETs, making it especially suitable for

applications which require superior power density

and outstanding efficiencies.

3ꢅꢈꢇ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB42N65M5

STF42N65M5

STI42N65M5

STP42N65M5

STW42N65M5

42N65M5

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

Tube

TO-220

TO-247

Tube

June 2009

Doc ID 15317 Rev 3

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STI42N65M5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW42N65M5	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 650 V, 0.070 Î©, 33 A MDmeshâ¢ V P
STP42N65M5	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 650 V, 0.070 Î©, 33 A MDmeshâ¢ V P
STB42N65M5	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 650 V, 0.070 Î©, 33 A MDmeshâ¢ V P

与STI42N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI430	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3
STI431	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3
STI4500	ETC	获取价格	Digital Audio Decoder & Support
STI4510	ETC	获取价格	Digital Audio Decoder & Support
STI4600	STMICROELECTRONICS	获取价格	6 CHANNEL DOLBY AC-3 MPEG1/2 AUDIO DECODER
STI4600ACV	ETC	获取价格	Digital Audio Decoder & Support
STI47N60DM6AG	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFE
STI4N62K3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 620 V, 1.7 Î© typ., 3.8 A SuperMESH
STI50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
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