STI50DE100

更新时间： 2024-02-13 19:44:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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11页	312K
描述
Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1000 V - 50 A - 0.026 ohm

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STI50DE100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, I4PAC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	50 A
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	3
JESD-30 代码：	R-PSIP-T4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	83 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STI50DE100 数据手册

STI50DE100

Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor

ESBT 1000 V - 50 A - 0.026 Ω

Preliminary Data

General features

CS(ON)

1.3 V

50 A

0.026

■ High voltage / high current Cascode

configuration

■ Ultra low equivalent on resistance

■ Very fast-switch up to 150 kHz

■ Ultra low C

iss

I4PAC-4L

■ Low dynamic V

CS(ON)

Applications

Internal schematic diagrams

■ Industrial converters

■ Welding

Description

The STI50DE100 is manufactured in a hybrid

structure, using dedicated high voltage Bipolar

and low voltage MOSFET technologies, aimed to

providing the best performance in ESBT topology.

The STI50DE100 is designed for use in industrial

converters and/or welding equipment.

Order codes

Part Number

Marking

Package

I4PAC-4L

Packing

STI50DE100

Tube

January 2007

Rev 1

1/11

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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