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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SEMITOP3, 20 PIN |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X13 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 13 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 756 ns | 标称接通时间 (ton)： | 57 ns |
| VCEsat-Max： | 3.85 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STG3P3M25N120 | STMICROELECTRONICS |
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50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, SEMITOP3, 20 PIN |
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| STG3P3M25N60 | STMICROELECTRONICS |
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3 Phase inverter IGBT - SEMITOP㈢3 module |
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| STG40M120F3D7 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、40 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT晶片，D7封装 |
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| STG4158 | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 0.6 ヘ typ single SPDT switch with |
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| STG4158BJR | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 0.6 ヘ typ single SPDT switch with |
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| STG4159 | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 0.3ヘ max single SPDT switch with |
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| STG4159BJR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage 0.3ヘ max single SPDT switch with |
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| STG4160 | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 0.5 single SPDT switch with break-before-make feature and 15 kV contact ESD pr |
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| STG4160BJR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage 0.5 single SPDT switch with break-before-make feature and 15 kV contact ESD pr |
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| STG4210QTR | STMICROELECTRONICS |
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DUAL 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, QCC10, 1.80 X 1.40 MM, ROHS COMPLIANT, QFN-10 |
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