5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> STG4259BJR
STG4259BJR PDF预览

STG4259BJR

更新时间： 2024-11-29 03:14:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
19页 312K
描述
Low voltage 0.3ヘ max dual SPDT switch with break-before-make feature and 15KV ESD protection

阅读下载

中文翻译

获取价格

STG4259BJR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, FLIP CHIP针数：11
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：2-CHANNEL MUX/DEMUX模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：R-PBGA-B11长度：2.068 mm
信道数量：1功能数量：2
端子数量：11标称断态隔离度：71 dB
通态电阻匹配规范：0.005 Ω最大通态电阻 (Ron)：0.65 Ω
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：FLIP CHIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.6/4 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.715 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电压 (Vsup)：4.8 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES最长断开时间：15 ns
最长接通时间：123 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.55 mmBase Number Matches：1

STG4259BJR 数据手册

 浏览型号STG4259BJR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STG4259BJR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STG4259BJR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STG4259BJR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STG4259BJR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STG4259BJR的Datasheet PDF文件第7页 
STG4259  
Low voltage 0.3Ω max dual SPDT switch  
with break-before-make feature and 15KV ESD protection  
Features  
■ Wide operating voltage range:  
(Opr) = 1.65 V to 4.8 V  
V
CC  
■ Low power dissipation:  
= 0.2 µA (max) at T = 85°C  
I
CC  
A
■ Low ON resistance V = 0V:  
IN  
– R = 0.4 Ω (max T = 25ºC) at  
ON  
CC  
A
V
= 2.25 V  
Flip-Chip11  
– R = 0.35 Ω (max T = 25ºC) at  
ON  
CC  
A
V
= 3.0 V  
– R = 0.30 Ω (max T = 25ºC) at  
ON  
CC  
A
V
= 4.3 V  
Description  
■ Separate supply voltage for switch and control  
pin  
The STG4259 is a high-speed CMOS low voltage  
dual analog SPDT (single pole dual throw) switch  
or 2:1 multiplexer/ demultiplexer switch fabricated  
in silicon gate C MOS technology. It is designed  
to operate from 1.65 V to 4.8 V, making this device  
ideal for portable applications. It offers low ON  
■ Separate control pin for each switch  
■ Latch-up performance exceeds 100 mA per  
2
JESD 78, class II  
■ ESD performance tested on common channels  
(D1 and D2 pins)  
resistance (0.30 Ω) at V = 4.3 V. The SEL  
CC  
– 9 kV IEC-61000-4-2 ESD, contact  
discharge  
inputs are provided to control the switches.  
The switch S1 is ON (connected to common port  
D) when the SEL input is held high and OFF (high  
impedance state exists between the two ports)  
when SEL is held low; the switch S2 is ON (it is  
connected to common port D) when the SEL input  
is held low and OFF (high impedance state exist  
between the two ports) when SEL is held high.  
– 15 kV IEC-61000-4-2 ESD, air gap  
discharge  
■ ESD performance tested on all other pins  
– 8 kV IEC-61000-4-2 ESD, contact  
discharge  
– 500 V machine model (JESD22 A115-A)  
– 1500 V charged-device model (JESD22  
C101)  
Additional key features are fast switching speed,  
break-before-make delay time and ultra low power  
consumption. All inputs and outputs are equipped  
with protection circuits against static discharge,  
giving them ESD immunity and transient excess  
voltage.  
– 8 kV IEC-61000-4-2 ESD, air gap  
discharge  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Package  
Packing  
STG4259BJR  
Flip-Chip11  
Rev 4  
Tape and Reel  
August 2007  
1/19  
www.st.com  
1234567...19

中文翻译

下载PDF

与STG4259BJR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STG4260BJR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage 0.5 Ω dual SPDT switch with break-before-make feature and 15 kV ESD p
STG50M120F3D7 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Trench gate field-stop 1200 V, 50 A low-loss M series IGBT die in D7 packing
STG50M170F3D7 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Trench gate field-stop 1700 V, 50 A low loss M series IGBT die in D7 packing
STG50M65F2D7 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		650 V、50 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT晶片，D7封装
STG5123 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage 1 ヘ single SPDT switch with break
STG5123DTR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage 1 ヘ single SPDT switch with break
STG5223 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage 0.5 ヘ dual SPDT switch with break
STG5223QTR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage 0.5 ヘ dual SPDT switch with break
STG5682 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage dual SPDTswitch with negative rail capacitance
STG5682QTR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage dual SPDTswitch with negative rail capacitance

与STG4259BJR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证