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ST93C56CB3

更新时间: 2024-09-28 20:27:07
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 410K
描述
128X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

ST93C56CB3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.88其他特性:1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES; 40 YEARS DATA RETENTION; USER CONFIGURABLE AS 128 X 16
备用内存宽度:8最大时钟频率 (fCLK):1 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.55 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.8 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.00005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

ST93C56CB3 数据手册

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