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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.52 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 400 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST6060D | MICROSEMI |
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Silicon Dual Power Rectifier |
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| ST6060E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 600V V(RRM), Silicon, TO-3, |
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| ST6061 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
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| ST6062 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 450V V(BR)CEO | TO-3 |
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| ST6080 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Dual Power Rectifier |
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| ST6080A | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Dual Power Rectifier |
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| ST6080D | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Dual Power Rectifier |
|
| ST6080E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, TO-3, |
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| ST60A3G1 | STMICROELECTRONICS |
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具有AiP的60 GHz射频收发器A3系列 |
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| ST60P | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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