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ST6080D

更新时间: 2024-10-14 09:02:51
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 163K
描述
Silicon Dual Power Rectifier

ST6080D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.53
Is Samacsys:N应用:POWER
外壳连接:ANODE AND CATHODE配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

ST6080D 数据手册

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