是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BUTTON |
包装说明: | DISK BUTTON, O-MXDB-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.03 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 标称电路换相断开时间: | 100 µs |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 200 mA | 最大直流栅极触发电压: | 3 V |
最大维持电流: | 600 mA | JEDEC-95代码: | TO-200AC |
JESD-30 代码: | O-MXDB-X4 | 最大漏电流: | 50 mA |
通态非重复峰值电流: | 9000 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最大通态电流: | 650000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 1230 A |
断态重复峰值电压: | 800 V | 重复峰值反向电压: | 800 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST330C08L0PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L1L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L1LPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L1PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L2 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L2PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L3L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El | |
ST330C08L3LPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 1230A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El |