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SST39VF010-70-4C-B3KE

更新时间： 2024-11-08 20:34:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 441K
描述
128K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, TFBGA-48

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SST39VF010-70-4C-B3KE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,32针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.65
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：32端子数量：48
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K
最大待机电流：0.000015 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

SST39VF010-70-4C-B3KE 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040  
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040  
A Microchip Technology Company  
Data Sheet  
The SST39LF010, SST39LF020, SST39LF040 and SST39VF010, SST39VF020,  
SST39VF040 are 128K x8, 256K x8 and 5124K x8 CMOS Multi-Purpose Flash  
(MPF) manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash  
technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain bet-  
ter reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The  
SST39LF010/020/040 devices write (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power  
supply. The SST39VF010/020/040 devices write with a 2.7-3.6V power supply.  
The devices conform to JEDEC standard pinouts for x8 memories.  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Fast Erase and Byte-Program:  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39LF/VF010  
4 seconds (typical) for SST39LF/VF020  
8 seconds (typical) for SST39LF/VF040  
• Single Voltage Read and Write Operations  
– 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040  
– 2.7-3.6V for SST39VF010/020/040  
• Superior Reliability  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Automatic Write Timing  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
– Internal VPP Generation  
– Active Current: 5 mA (typical)  
• End-of-Write Detection  
– Standby Current: 1 µA (typical)  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
– Uniform 4 KByte sectors  
• CMOS I/O Compatibility  
• Fast Read Access Time:  
• JEDEC Standard  
– 45 ns for SST39LF010/020/040  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
– 55 ns for SST39LF020/040  
– 70 ns for SST39VF010/020/040  
• Packages Available  
– 32-lead PLCC  
• Latched Address and Data  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)  
– 34-ball WFBGA (4mm x 6mm) for 1M and 2M  
• All devices are RoHS compliant  
www.microchip.com  
©2011 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25023A  
08/11  
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SST39VF010-70-4C-B3KE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST39VF010-70-4C-B3KE SST

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 512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4C-NHE SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4C-NHE-RVL MICROCHIP

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 		Flash, 128KX8, 70ns, PQCC32
SST39VF010-70-4C-NHE-RVL-T MICROCHIP

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SST39VF010-70-4C-NHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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