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SST39VF010-70-4C-WHE-RVL-T PDF预览

SST39VF010-70-4C-WHE-RVL-T

更新时间： 2024-11-29 15:52:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 255K
描述
Flash, 128KX8, 70ns, PDSO32

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SST39VF010-70-4C-WHE-RVL-T 技术参数

生命周期：Active包装说明：TSOP1,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：12.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：2.7 V
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：8 mmBase Number Matches：1

SST39VF010-70-4C-WHE-RVL-T 数据手册

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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash  
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040  
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040  
Data Sheet  
The SST39LF010, SST39LF020, SST39LF040 and SST39VF010, SST39VF020,  
SST39VF040 are 128K x8, 256K x8 and 5124K x8 CMOS Multi-Purpose Flash  
(MPF) manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash  
technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain bet-  
ter reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The  
SST39LF010/020/040 devices write (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power  
supply. The SST39VF010/020/040 devices write with a 2.7-3.6V power supply.  
The devices conform to JEDEC standard pinouts for x8 memories.  
Features  
• Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8  
• Fast Erase and Byte-Program:  
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– Chip Rewrite Time:  
2 seconds (typical) for SST39LF/VF010  
4 seconds (typical) for SST39LF/VF020  
8 seconds (typical) for SST39LF/VF040  
• Single Voltage Read and Write Operations  
– 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040  
– 2.7-3.6V for SST39VF010/020/040  
• Superior Reliability  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
• Automatic Write Timing  
• Low Power Consumption  
(typical values at 14 MHz)  
– Internal VPP Generation  
– Active Current: 5 mA (typical)  
– Standby Current: 1 µA (typical)  
• End-of-Write Detection  
– Toggle Bit  
– Data# Polling  
• Sector-Erase Capability  
– Uniform 4 KByte sectors  
• CMOS I/O Compatibility  
• Fast Read Access Time:  
• JEDEC Standard  
– 55 ns for SST39LF010/020/040  
– 70 ns for SST39VF010/020/040  
– Flash EEPROM Pinouts and command sets  
• Packages Available  
• Latched Address and Data  
– 32-lead PLCC  
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)  
• All devices are RoHS compliant  
www.microchip.com  
©2012 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25023B  
06/13  
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与SST39VF010-70-4C-WHE-RVL-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SST39VF010-70-4C-WHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC
SST39VF010-70-4C-WK SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4I-B3H SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4I-B3K SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4I-B3KE SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4I-B3KE MICROCHIP

获取价格

 		128K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB
SST39VF010-70-4I-NH SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4I-NHE SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39VF010-70-4I-NHE-T MICROCHIP

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
SST39VF010-70-4I-NK SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

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