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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 页面大小： | 128 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 切换位： | YES | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST29EE512A-70-4C-WH | SILICON |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO32 |
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| SST29EE512A-70-4I-NH | SILICON |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32 |
|
| SST29EE512A-90-4C-NH | SILICON |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32 |
|
| SST29EE512A-90-4I-WH | SILICON |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO32 |
|
| SST29EF010-120-4C-EH | SST |
获取价格 |
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |
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| SST29EF010-120-4C-NH | SST |
获取价格 |
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |
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| SST29EF010-120-4C-PH | SST |
获取价格 |
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |
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| SST29EF010-120-4C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |
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| SST29EF010-120-4I-EH | SST |
获取价格 |
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |
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| SST29EF010-120-4I-NH | SST |
获取价格 |
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |
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