是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST29EE512A-70-4I-NH | SILICON |
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EEPROM, 64KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32 | |
SST29EE512A-90-4C-NH | SILICON |
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EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32 | |
SST29EE512A-90-4I-WH | SILICON |
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EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO32 | |
SST29EF010-120-4C-EH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EF010-120-4C-NH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EF010-120-4C-PH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EF010-120-4C-WH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EF010-120-4I-EH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EF010-120-4I-NH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM | |
SST29EF010-120-4I-PH | SST |
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2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM |