Datasheet > SST271-E3

SST271-E3

更新时间： 2024-11-07 21:07:07

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	45K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET

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SST271-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SST271-E3 数据手册

J/SST270 Series

Vishay Siliconix

P-Channel JFETs

J270

J271

SST270

SST271

PRODUCT SUMMARY

Part Number

V_GS(off)(V) V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_DSSMin (mA)

J/SST270

J/SST271

0.5 to 2.0

1.5 to 4.5

–2

–6

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Low Cutoff Voltage: J270 <2 V D Full Performance from Low-Voltage Power

D High-Gain, Low-Noise Amplifiers

Supply: Down to 2 V

D High Input Impedance

D Low-Current, Low-Voltage Battery

D Low Signal Loss/System Error

Amplifiers

D Very Low Noise

D High Gain

D High System Sensitivity

D Ultrahigh Input Impedance Pre-Amplifiers

D High-Quality, Low-Level Signal Amplification D High-Side Switching

DESCRIPTION

The J/SST270 series consists of all-purpose amplifiers for

designs requiring p-channel operation.

provides surface-mount capability. Both the J and SST series

are available in tape-and-reel for automated assembly (see

Packaging Information).

The TO-226AA (TO-92) plastic package provides a low-cost

option, while the TO-236 (SOT-23) package

TO-226AA

(TO-92)

TO-236

(SOT-23)

Top View

SST270 (S0)*

SST271 (S1)*

J270

J271

*Marking Code for TO-236

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 mA

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW

Notes

a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C

Document Number: 70258

S-04233—Rev. D, 02-Jul-01

www.vishay.com

8-1

12 3 4 5

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与SST271-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SST271T	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236,
SST271T1	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC
SST271-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
SST271T2	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
SST271TT1	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236,
SST271TT2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
SST271TT2-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236A
SST27SF010	SST	获取价格	256 Kbit / 512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit (x8) Many-Time Programmable Flash
SST27SF010-70	SST	获取价格	256 Kbit / 512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit (x8) Many-Time Programmable Flash
SST27SF010-70-3C-NG	SST	获取价格	256 Kbit / 512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit (x8) Many-Time Programmable Flash

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