Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM6N36FE,LM(B

SSM6N36FE,LM(B

更新时间： 2024-02-17 05:51:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SSM6N36FE,LM(B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.66
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SSM6N36FE,LM(B 数据手册

SSM6N36FE

|Y | – I

– V

10000

1000

100

Common Source

= 3 V

3000

1000

Ta = 25°C

25 °C

300

100

Common Source

Ta =100 °C

= 0 V

−25 °C

0.1

100

1000

–0.5

–1.0

–1.5

Drain current

(mA)

Drain-source voltage

(V)

C – V

t – I

1000

100

Common Source

off

= 10 V

= 0 to 2.5 V

iss

Ta = 25 °C

= 4.7 Ω

oss

rss

Common Source

Ta = 25°C

f = 1 MHz

= 0 V

0.1

100

1000

Drain-source voltage

(V)

Drain current

(mA)

P * – Ta

Dynamic Input Characteristic

250

Mounted on a FR4 board.

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm , Cu Pad: 0.135 mm²× 6)

Common Source

= 0.5 A

200

150

100

Ta = 25°C

= 10 V

= 16 V

150

-40 -20

60 80 100 120 140 160

*: Total Rating

Ambient temperature Ta (°C)

Total Gate Charge Qg (nC)

2008-02-26

1 2 345

中文翻译

下载PDF

与SSM6N36FE,LM(B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SSM6N36FE,LM(T	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
SSM6N36TU	TOSHIBA	TRANSISTOR 500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UF6, 2-2T1B, 6 PI	获取价格
SSM6N36TU(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR	获取价格
SSM6N36TU,LF	TOSHIBA	Small Signal Field-Effect Transistor	获取价格
SSM6N37CTD	TOSHIBA	Power Management Switch Applications	获取价格
SSM6N37CTD(TPL3)	TOSHIBA	MOSFET DUAL N-CH 20V .25A CST6D	获取价格