SS8P3CLHE3/87A

更新时间： 2024-11-14 06:14:03

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威世 - VISHAY		整流二极管
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5页	111K
描述
High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS8P3CLHE3/87A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.45 V	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	120 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	4 A
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SS8P3CLHE3/87A 数据手册

New Product

SS8P2CL & SS8P3CL

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020

• Solder dip 260 °C, 40 s

TO-277A (SMPC)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Anode 1

Cathode

Anode 2

• Halogen-free

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 4.0 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC-Q101 qualified)

V_RRM

20 V, 30 V

120 A

I_FSM

E_AS

20 mJ

V_Fat I_F= 4 A

T_Jmax.

0.41 V

150 °C

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,

high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)

TYPICAL APPLICATIONS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity

protection applications.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS8P2CL

S82CL

SS8P3CL

S83CL

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_F(AV)

total device

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

per diode

8.0

4.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed

on rated load per diode

I_FSM

120

Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, I_AS= 2 A per diode

Operating junction and storage temperature range

E_AS

_J,T_STG

°C

- 55 to + 150

Document Number: 89030

Revision: 30-Jul-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SS8P3CLHG3/87A	VISHAY	获取价格	DIODE 4 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier
SS8P3CLHM3/86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS8P3CLHM3/87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS8P3CLHM3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 30V V(RRM), Silicon, TO-277A,
SS8P3CLHM3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
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