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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SS8P3CLHM3/86A
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SS8P3CLHM3/86A

更新时间： 2024-11-14 06:14:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管光电二极管瞄准线功效
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5页 111K
描述
High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS8P3CLHM3/86A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-277
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
Is Samacsys：N其他特性：FREEWHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.45 V
JEDEC-95代码：TO-277AJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SS8P3CLHM3/86A 数据手册

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New Product  
SS8P2CL & SS8P3CL  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Schottky Barrier Rectifiers  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
eSMPTM Series  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
K
• High efficiency  
1
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
2
TO-277A (SMPC)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Anode 1  
K
Cathode  
Anode 2  
• Halogen-free  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 4.0 A  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability  
rating.  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/  
automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
VRRM  
20 V, 30 V  
120 A  
IFSM  
EAS  
20 mJ  
VF at IF = 4 A  
TJ max.  
0.41 V  
150 °C  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,  
high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
TYPICAL APPLICATIONS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker  
test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2  
whisker test  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity  
protection applications.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS8P2CL  
S82CL  
20  
SS8P3CL  
S83CL  
30  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
total device  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
per diode  
8.0  
4.0  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed  
on rated load per diode  
IFSM  
120  
20  
A
Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, IAS = 2 A per diode  
Operating junction and storage temperature range  
EAS  
J, TSTG  
mJ  
°C  
T
- 55 to + 150  
Document Number: 89030  
Revision: 30-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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SS8P3CLHM3/86A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SS8P3C-M3/87A VISHAY

功能相似

 DIODE 4 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAST

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS8P3CLHM3/87A VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS8P3CLHM3_A/I VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 30V V(RRM), Silicon, TO-277A,
SS8P3CLHM3-86A VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
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