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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SS8P3L-E3/87A
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SS8P3L-E3/87A

更新时间： 2024-11-14 06:14:03
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威世 - VISHAY 整流二极管
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5页 111K
描述
High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS8P3L-E3/87A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.49 V
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：8 A
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SS8P3L-E3/87A 数据手册

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New Product  
SS8P2L & SS8P3L  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Schottky Barrier Rectifiers  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
eSMPTM Series  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
K
• High efficiency  
1
• Low thermal resistance  
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
TO-277A (SMPC)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Anode 1  
Anode 2  
K
Cathode  
• Halogen-free  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
8.0 A  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability  
rating.  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/  
automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V  
150 A  
EAS  
20 mJ  
VF at IF = 8.0 A  
TJ max.  
0.472 V  
150 °C  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,  
high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker  
test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2  
whisker test  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity  
protection applications.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS8P2L  
S82  
SS8P3L  
S83  
UNIT  
Device marking code  
VRRM  
IF(AV)  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
20  
30  
V
A
8.0  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at IAS = 2 A, TJ = 25 °C  
EAS  
J, TSTG  
20  
mJ  
°C  
T
Operating junction and storage temperature range  
- 55 to + 150  
Document Number: 89001  
Revision: 30-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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SS8P3L-E3/87A 替代型号

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 		High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS8P3LHM3_A/I VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, TO-277A,
SS8P3LHM3-86A VISHAY

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