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SS510-HF

更新时间： 2024-11-12 21:20:35
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 468K
描述
Rectifier Diode,

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SS510-HF 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

SS510-HF 数据手册

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SMD Schottky Barrier Rectifiers  
SS54-HF Thru. SS520-HF  
Reverse Voltage: 40 to 200 Volts  
Forward Current: 5.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen Free  
SMA (DO-214AC)  
0.177(4.50)  
0.157(4.00)  
Features  
0.063(1.60)  
0.051(1.30)  
0.106(2.70)  
0.091(2.30)  
- Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
- For surface mounted applications.  
- Low power loss, high efficiency.  
- High forward surge current capability.  
0.205(5.20)  
0.185(4.70)  
0.012(0.31)  
0.006(0.15)  
- For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications.  
0.087(2.20)  
0.075(1.90)  
0.059(1.50)  
0.035(0.90)  
0.012(0.30)  
Typ.  
Mechanical data  
- Case: SMA  
Dimensions in inches and (millimeter)  
- Terminals: Solderable per MIL-STD-750,  
Circuit Diagram  
method 2026.  
Cathode  
Anode  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate by 20%  
Symbols  
VRRM  
Parameter  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
SS54-HF  
SS56-HF  
SS510-HF  
SS515-HF  
150  
SS520-HF  
200  
Units  
40  
28  
40  
60  
42  
60  
100  
70  
V
V
V
A
VRMS  
105  
140  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
100  
5
150  
200  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
Peak forward surge current, 8.3ms  
single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
120  
A
Max instantaneous forward voltage at 5A  
VF  
IR  
0.55  
500  
0.70  
0.85  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC reverse voltage  
Tj = 25°C  
Tj =100°C  
1.0  
50  
mA  
pF  
Typical junction capacitance (Note 1)  
Typical thermal resistance (Note 2)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
Cj  
300  
RθJA  
Tj  
60  
°C/W  
°C  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Tstg  
°C  
Notes: 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C  
2. P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas.  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:A  
Page 1  
SP-JB023  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB,

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