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SS10PH10HE3/86A

更新时间： 2024-11-29 06:13:51

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威世 - VISHAY		整流二极管高压
页数	文件大小	规格书
5页	111K
描述
High Current Density Surface Mount High-Voltage Schottky Rectifier

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SS10PH10HE3/86A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	20 weeks 1 day
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.88 V	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	10 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SS10PH10HE3/86A 数据手册

New Product

SS10PH9 & SS10PH10

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

High-Voltage Schottky Rectifier

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Guardring for overvoltage protection

• High barrier technology, T = 175 °C

maximum

• Low leakage current

• Meets MSL level 1, per J-STD-020

• Solder dip 260 °C, 40 s

TO-277A (SMPC)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Anode 1

Anode 2

Cathode

• Halogen-free

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

10 A

90 V, 100 V

200 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC-Q101 qualified)

V_RRM

I_FSM

E_AS

20 mJ

V_Fat I_F= 10 A

I_R

0.661 V

0.3 µA

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

T_Jmax.

175 °C

Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,

high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectifier of switching

mode power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc

converters or polarity protection application.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS10PH9

10H9

SS10PH10

10H10

100

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

200

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Non-repetitive avalanche energy at I_AS= 2 A, L = 10 mH, T_J= 25 °C

Operating junction and storage temperature range

E_AS

°C

_J,T_STG

- 55 to + 175

Document Number: 89000

Revision: 30-Jul-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SS10PH10HG3/86A	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifi
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