5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SQS110ENW
SQS110ENW PDF预览

SQS110ENW

更新时间： 2024-11-24 14:54:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 221K
描述
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SQS110ENW 数据手册

 浏览型号SQS110ENW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQS110ENW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQS110ENW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQS110ENW的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQS110ENW的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQS110ENW的Datasheet PDF文件第7页 
SQS110ENW  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET  
PowerPAK® 1212-8SLW  
D
8
• AEC-Q101 qualified  
D
7
D
D
6
• 100 % Rg and UIS tested  
5
• Wettable flank terminals  
• Low thermal resistance with 0.75 mm profile  
• Material categorization: for definitions of  
compliance please see www.vishay.com/doc?99912  
1
S
2
S
3
S
4
G
1
Top View  
D
Bottom View  
Marking code: Q069  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
G
100  
0.0132  
57  
RDS(on) () at VGS = 10 V  
I
D (A) e  
S
Configuration  
Single  
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK® 1212-8SLW  
SQS110ENW  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
(for detailed order number please see www.vishay.com/doc?79771)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
100  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
57  
33  
Continuous drain current e  
ID  
TC = 125 °C  
Continuous source current (diode conduction) e  
Pulsed drain current a, e  
IS  
108  
A
IDM  
IAS  
119  
Single pulse avalanche current  
Single pulse avalanche energy  
27  
L = 0.1 mH  
EAS  
36  
mJ  
W
TC = 25 °C  
119  
Maximum power dissipation a, e  
PD  
TC = 125 °C  
39  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) c  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
54  
UNIT  
Junction-to-ambient  
Junction-to-case (drain) d  
PCB mount b  
°C/W  
RthJC  
1.26  
Notes  
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %  
b. When mounted on 1" square PCB (FR4 material)  
c. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure  
adequate bottom side solder interconnection  
d. As per on JESD51-14  
e. Values based on RthJC and TC of 25 °C. Actual values achievable will be dependent on the thermal characteristics of the complete system  
S23-0318-Rev. B, 15-May-2023  
Document Number: 62101  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

中文翻译

下载PDF

与SQS110ENW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQS120ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS121ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS124ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS140ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS140ENW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS141ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS142ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS142ENW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS146ELNW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQS146ENW VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET

与SQS110ENW相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证