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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 135 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0155 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQD50P06-15L-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.0155 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND |
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| SQD50P08-25L | FREESCALE |
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Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD50P08-25L | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD50P08-25L_GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SQD50P08-28 | FREESCALE |
获取价格 |
Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD50P08-28 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD61N31 | JDSU |
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Flexible Small Channel Count Switch Module |
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| SQD61N32 | JDSU |
获取价格 |
Flexible Small Channel Count Switch Module |
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| SQD61N37 | JDSU |
获取价格 |
Flexible Small Channel Count Switch Module |
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| SQD61N41 | JDSU |
获取价格 |
Flexible Small Channel Count Switch Module |
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