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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 5.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 101 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQD100N03-3m2L | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD100N03-3m4 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD100N04-3m6 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSF |
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| SQD100N04-3m6L | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD10950E | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 250 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD10N30-330H | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSF |
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| SQD15N06-42L | FREESCALE |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD15N06-42L | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD15N06-42L_13 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQD15N06-42L_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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